针对 n-on-p型长波 Hg1-xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流 Idark＝9×10-10 A，工作电阻 Rr＝109.，品质因子 R0A＝20.cm2。从仿真分析结果得出，在现有工艺下， Shockley-Read-Hall(SRH)复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中 SRH复合速率为 2×1016 /s.cm3，当表面态到达 1×1012 cm-2，器件会出现严重的表面沟道。
长波探测器 碲镉汞 仿真模拟 暗电流 long wave detectors HgCdTe Silvaco Silvaco simulation dark current
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
Frontiers of Optoelectronics
2011, 4(4): 415
